BibliotekaCzasopismaWebmail *
 
 
 
 
 
 
   Informator o Instytucie 
   Wirtualny Spacer 
 
 
   Konwersatorium IF PAN 
   Popularyzacja fizyki 
   Praktyki studenckie w IF PAN 
   Projekty doktoranckie 
   Seminaria 
   Konferencje 
   Welcome Centre 
 
 
   Projekt MagTop   
   Projekty QuantERA   
   Projekty TechMatStrateg 
   Projekty POIG   
   Projekty POIR   
   POIG 1.1.2 - Projekt kluczowy   
   Projekt EAgLE   
   Projekt Baltic TRAM   
   Projekt MSCA POLONEZ   
   Udział Polski w ESRF 
   Fundusze strukturalne UE   
   Inkubator Innowacyjności 4.0 
   Projekt "Welcome to Poland" 
 
 
   Szkoła Doktorska 
   Studia doktoranckie 
   Projekt ERASMUS 
 
 
   Acta Physica Polonica A 
 
 
   Oferta dla przemysłu 
   Zamówienia publiczne 
 
 
   Deklaracja dostępności 
 
 
 
 
google
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
OSIĄGNIĘCIA
 
 
 
 
Projekt trójwymiarowych płaskich pasm w półmetalach z linią węzłów
Physical Review X 11, 031017 (2021)

    Niedawne odkrycie niekonwencjonalnego nadprzewodnictwa w skręconej względem siebie parze warstw grafenowych wynika z pojawiania się płaskiego pasma energii dla magicznego kąta skręcenia, ok. 1,1o. W płaskich pasmach energia kinetyczna elektronów staje się zaniedbywalna, a dominują wzajemne oddziaływania elektronów, co prowadzi do dominacji efektów korelacji i pojawiania się egzotycznych faz materii, np. nadprzewodnictwa. Dotychczas badanie tych intrygujących zjawisk koncentrowało się na materiałach dwuwymiarowych, takich jak grafen, ze względu na brak realistycznych propozycji ich odpowiedników w układach trójwymiarowych.

więcej →     


Materiały topologiczne a granice miniaturyzacji elektronicznej
Physical Review Letters 126, 236402 (2021)

    Postępująca w zawrotnym tempie miniaturyzacja nanoukładów elektronicznych wymaga nowych rozwiązań także w zakresie ultra cienkich połączeń galwanicznych, np. z wykorzystaniem 10-20 nanometrowej szerokości ścieżek metalicznych z miedzi lub złota. Są one jednak zawsze źródłem ciepła Joule'a związanego z rozpraszaniem nośników ładunku i wydzielanego podczas przepływu prądu elektrycznego, co coraz silniej ogranicza możliwości pracy nanoukładów elektronicznych. Jakościowo nowym rozwiązaniem byłoby zastosowanie nowej klasy materiałów kwantowych - izolatorów topologicznych.

więcej →     


Struktura ferromagnetycznych nanokryształów GayFe4-yN osadzonych w azotku galu
Scientific Reports 11, 2862 (2021)

    Azotek galu (GaN) i pokrewne związki to kluczowe materiały dla najnowocześniejszej optoelektroniki. Zakres ich funkcjonalności może być dodatkowo znacznie poszerzony dzięki połączeniu GaN z jonami magnetycznymi. Przy stężeniu kationów żelaza w (Ga,Fe)N powyżej 0,4% materiał wyhodowany przez epitaksję ulega krystalograficznej separacji faz, co prowadzi do powstania bogatych w żelazo tzw. "wbudowanych nanokryształów".
Dzięki precyzyjnemu dostrojeniu parametrów wzrostu podczas procesu epitaksjalnego tworzą się planarne macierze kubicznych nanokryształów ferromagnetycznego GayFe4-yN (0<y<1) osadzonych w sieci macierzystej GaN, których właściwości magnetyczne zależą od y, czyli od stężenia Ga. W celu rozróżnienia atomów Ga w nanokryształach od tych w matrycy GaN, międzynarodowa grupa naukowców z Uniwersytetu Johannesa Keplera w Linzu (Austria), Instytutu Fizyki Polskiej Akademii Nauk, w Warszawie i Linii Pomiarowej SIRIUS synchrotronu SOLEIL, (Francja) wykorzystała połączenie anomalnej dyfrakcji rentgenowskiej i subtelnej struktury anomalnej dyfrakcji (ang. DAFS). Wyniki - opublikowane w Scientific Reports - rzucają światło na to jak korelację między parametrami wytwarzania oraz lokalnym układem strukturalnym wpływają na właściwości magnetyczne systemu materiałowego.

więcej →     


 
 
AKTUALNOŚCI
 
 
 
 
  
Mgr Volodymyr Tsimura otrzymał nagrodę za najlepszy referat na konferencji: "11th International Conference on Luminescent Detectors and Transformes on Ionizing Radiation (LUMDETR 2021)"

     20.09, Instytut Fizyki PAN
 
 

XXV Festiwal Nauki w Instytucie Fizyki PAN (w trybie zdalnym)
   "Fotowoltaika = czysta energia Czy to rozwiąże nasze problemy?"
- wykład prof. dr. hab. Marka Godlewskiego (IF PAN)
Film do obejrzenia na YouTube. SERDECZNIE ZAPRASZAMY!
   17 - 26.09, Instytut Fizyki PAN
 
 
WYDARZENIA
 
 
 
Wspomnienie prof. dra hab. Jerzego Kołodziejczaka o Profesorze Włodzimierzu Zawadzkim
Prezentacja prof. Kołodziejczaka o powstaniu Polskiej Szkoły Fizyki Półprzewodników
18 sierpnia 2021
 
 Reprezentacja Polski zdobyła złoty medal i pierwsze miejsce w 34 Międzynarodowym Turnieju Młodych Fizyków
29 lipca 2021
 
 Projekt dr. Panagiotisa Theodorakisa realizowany w ramach programu POLONEZ został wyróżniony przez Narodowe Centrum Nauki
14 lipca 2021
 
 "Technologie, które zmienią świat" - wywiad profesorów Tomasza Dietla i Tomasza Wojtowicza w tygodniku "Polityka"
8 czerwca 2021
 
 Rozstrzygnięcie konkursu Opus 20
20 maja 2021
 
więcej →     

 
 
 
 
 
BIEŻĄCE  SEMINARIA
 
 
 Seminarium fizyki teoretycznej
Surrogate field representations
Wtorek, 19 października, godz. 12:00
Seminarium on-line
 
 Seminarium fizyki materii skondensowanej
Dynamical heterogeneity beyond amorphous solids
Wtorek, 19 października, godz. 14:00
Seminarium on-line
 
 Proseminarium doktoranckie
Synteza i zastosowanie nanomateriałów w biologii i medycynie
Magdalena Duda
Środa, 20 października, godz. 12:00
     Zoom meeting: https://zoom.us/j/95115325250
 
 
KONKURSY  I  OFERTY PRACY
 
 
 Ogłoszenie 44/2021
Asystent: Wytwarzanie cienkich warstw magnetycznych i heterostruktur metodą MBE, ich charakteryzacja oraz badanie właściwości magnetycznych   
(English ver.)
   14.10 - 15.11
 
 Ogłoszenie 43/2021
Magistrant - stypendysta: Spektroskopia kontaktów punktowych heterostruktur IV-VI otrzymanych metodą MBE   
(English ver.)
   27.09 - 28.10
 
 Ogłoszenie 42/2021
Post-doc: prowadzenie badań doświadczalnych materii topologicznej
(English ver.)
   16.09 - 24.10
 
 
Oferta pracy - chemik technolog: opieka nad laboratorium chemicznym (1/2 etatu)   
   14.10 - 02.11
 
 Oferta pracy - konserwator   
   13.10 - 28.10
 
 
rozwiń wcześniejsze konkursy →    
 

             

 
RESEARCH  HIGHLIGHTS
 
 
 Strain control in graphene on GaN nanowires: Towards pseudomagnetic field engineering
M. Sobanska, Z. R. Żytkiewicz (co-authors)
Carbon 186, 128 - 140 (2022)
 
 Structural variability and concerted motions of the T cell receptor - CD3 complex
P. R. Pandey, B. Różycki, R. Lipowsky, T. R. Weikl
eLife 10, e67195 (2021)
 
 The Driving Force for Co-translational Protein Folding is Weaker In the Ribosome Vestibule due to Greater Water Ordering
Quyen V. Vu, Mai Suan Li (co-authors)
Chem. Sci. 12, 11851 (2021)
 
 Potent strategy towards strongly emissive nitroaromatics through a weakly electron-deficient core
M. Banasiewicz, B. Kozankiewicz, A. L. Sobolewski (co-authors)
Chem. Sci. (2021)
 
 Coupling Charge and Topological Reconstructions at Polar Oxide Interfaces
W. Brzezicki, C. Autieri (co-authors)
Phys. Rev. Lett. 127, 127202 (2021)
 
 Direct observation of multiband transport in magnonic Penrose quasicrystals via broadband and phase-resolved spectroscopy
S. Watanabe, V. S. Bhat, K. Baumgaertl, M. Hamdi, D. Grundler
Science Advances 7, 35 (2021)
 
 Designing Three-Dimensional Flat Bands in Nodal-Line Semimetals
A. Lau, T. Hyart, C. Autieri, A. Chen, and D. I. Pikulin
Phys. Rev. X 11, 031017 (2021)
 
 wiecej publikacji →
 
 
DOKTORATY
 
 
PATENTY
 
 
 Nowe spirocykliczne pochodne ftalidu, sposob ich wytwarzania oraz zastosowanie jako fluorescencyjnych sensorow i sond polarnosci otoczenia
J. Karpiuk, P. Gawryś, E. Karpiuk
Nr patentu: PL237149
 
 Sposób wytwarzania suplementu mikroelementów zawierających cynk oraz suplement wytworzony tym sposobem
J. Kaszewski, M. Godlewski, P. Kiełbik, A. Słońska-Zielonka, M. Godlewski
Nr patentu: PL237209
 
 Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury
D. Jarosz, A. Pieniążek, H. Teisseyre, A. Kozanecki, B. Kowalski
Nr patentu: PL237260
 
 Photovoltaic Cell Structure and Method to Produce the Same
S. Gierałtowska, M. Godlewski, R. Pietruszka, Ł. Wachnicki, B. Witkowski
Nr patentu: EP3295490
 
 wiecej patentów →
 
 
 
Adres:     al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
Tel.:   (+48 22) 843 70 01NIP:  525-000-92-75
Fax.:  (+48 22) 843 09 26REGON:  000326061