Centrum Zaawansowanych Technologii Materiałów dla Opto- i Mikroelektroniki
Centrum Zaawansowanych Technologii Materiałów dla Opto- i Mikroelektroniki łączy potencjał badawczy, technologiczny i produkcyjny czterech instytutów naukowo-badawczych oraz Spółki Cemat-Silicon S.A., będącej producentem i eksporterem półprzewodnikowego krzemu na rynki całego świata. - Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, IF PAN, 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46,
- Instytut Chemii Fizycznej Polskiej Akademii Nauk, IChF PAN, 01-224 Warszawa, ul. Kasprzaka 44/52,
- Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ITME, 01-919 Warszawa, ul. Wólczyńska 133,
- Cemat - Silicon S.A., 01-919 Warszawa, ul. Wólczyńska 133.
- Unipress, Instytut Wysokich Ciśnień PAN, 01- Warszawa, ul. Sokołowska 29.
Partnerzy powierzyli koordynację działalności Centrum Instytutowi Fizyki Polskiej Akademii Naukoraz powołali
prof. dra hab. Adriana Kozaneckiego
(IF PAN) na Koordynatora. Wszystkie decyzje, dotyczące zakresu działalności, podejmowane są kolegialnie przez Radę Koordynacyjną CZT.Centrum Zaawansowanych Technologii Materiałów dla Opto- i Mikroelektroniki jest otwarte na nowych partnerów, mogących wzmocnić Centrum i przyśpieszyć realizację celów. Główne cele działalności Centrum: -
Zbudowanie infrastruk tury technologicznej, umożliwiającej wytwarzanie i charakteryzację nanostruktur półprzewodnikowych budowanych na bazie związków azotkowych III-N (GaN, AlGaN, InGaN) oraz związków II-VI, a zwłaszcza ZnO. Na bazie tych struktur zostaną opracowane tranzystory HEMT, które następnie znajdą zastosowanie w elektronicznych przyrządach diagnostycznych, takich jak biosensory nowych generacji. Innym kierunkiem prac będzie rozwój półprzewodnikowych źródeł światła - lasery i diody świecące w obszarze niebieskim i UV, detektory, urządzenia spintroniczne. Drugim zaadniczym celem CZT jest dalszy rozwój technologii krzemu krystalicznego oraz krzemowych warstw epitaksjalnych dla urządzeń mikroelektronicznych. Płytki z monokrystalicznego krzemu są podstawowym materiałem przy produkcji układów mikroelektronicznych, zarówno elementów dyskretnych (diod, tranzystorów, itd.) jak również układów scalonych (tzw. "chipów"). Postępująca miniaturyzacja układów mikroelektronicznych stawia producentów krzemu wobec konieczności systematycznego udoskonalania technologii, zwiększania średnicy płytek, poprawiania parametrów technicznych (parametrów elektrycznych, fizykochemicznych, geometrycznych, stanu powierzchni, itd.).
W ramach Centrum Zaawansowanych Technologii Materiałów zgłoszone zostały następujące projekty:Centrum Technologii Nanostruktur Półprzewodnikowych i Biosensorów. Specjalistyczne Laboratorium Badawczo-Rozwojowe dla nowej generacji epitaksjalnych płytek krzemowych.
 Przyznane granty:
"Centrum technologii nanostruktur półprzewodnikowych i biosensorów", 2007-2008, we współpracy z Instytutem Fizyki PAN i Instytutem Wysokich Ciśnień PAN,otrzymało dotacje z funduszy strukturalnych Unii Europejskiej i Ministerstwa Nauki i SzkolnictwaWyższego, program 1.4.3 SPO-WKP.
|
