Biblioteka Czasopisma Webmail
 
 
 
 
 
 
   Informator o Instytucie 
   Wirtualny Spacer 
 
 
   Konwersatorium IF PAN 
   Popularyzacja fizyki 
   Seminaria 
   Konferencje 
 
 
   Projekt MagTop    
   POIG 1.1.2 - Projekt kluczowy    
   POIG - Projekty    
   Projekt EAgLE    
   Projekt Baltic TRAM    
   Udział Polski w ESRF 
   Fundusze strukturalne UE    
 
 
   Studium doktoranckie 
   Projekt ERASMUS 
 
 
   Acta Physica Polonica A 
 
 
   Oferta dla przemysłu 
   Zamówienia publiczne 
 
 
 
 
google
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
CENTRUM ZAAWANSOWANYCH TECHNOLOGII
 
 
 
 


Centrum Zaawansowanych Technologii Materiałów dla Opto- i Mikroelektroniki


Centrum Zaawansowanych Technologii Materiałów dla Opto- i Mikroelektroniki łączy potencjał badawczy, technologiczny i produkcyjny czterech instytutów naukowo-badawczych oraz Spółki Cemat-Silicon S.A., będącej producentem i eksporterem półprzewodnikowego krzemu na rynki całego świata.

  1. Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, IF PAN, 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46,
  2. Instytut Chemii Fizycznej Polskiej Akademii Nauk, IChF PAN, 01-224 Warszawa, ul. Kasprzaka 44/52,
  3. Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ITME, 01-919 Warszawa, ul. Wólczyńska 133,
  4. Cemat - Silicon S.A., 01-919 Warszawa, ul. Wólczyńska 133.
  5. Unipress, Instytut Wysokich Ciśnień PAN, 01- Warszawa, ul. Sokołowska 29.

Partnerzy powierzyli koordynację działalności Centrum Instytutowi Fizyki Polskiej Akademii Nauk oraz powołali

prof. dra hab. Adriana Kozaneckiego

(IF PAN) na Koordynatora. Wszystkie decyzje, dotyczące zakresu działalności, podejmowane są kolegialnie przez Radę Koordynacyjną CZT.

Centrum Zaawansowanych Technologii Materiałów dla Opto- i Mikroelektroniki jest otwarte na nowych partnerów, mogących wzmocnić Centrum i przyśpieszyć realizację celów.

Główne cele działalności Centrum:

  1. Zbudowanie infrastruk tury technologicznej, umożliwiającej wytwarzanie i charakteryzację nanostruktur półprzewodnikowych budowanych na bazie związków azotkowych III-N (GaN, AlGaN, InGaN) oraz związków II-VI, a zwłaszcza ZnO. Na bazie tych struktur zostaną opracowane tranzystory HEMT, które następnie znajdą zastosowanie w elektronicznych przyrządach diagnostycznych, takich jak biosensory nowych generacji. Innym kierunkiem prac będzie rozwój półprzewodnikowych źródeł światła - lasery i diody świecące w obszarze niebieskim i UV, detektory, urządzenia spintroniczne.

  2. Drugim zaadniczym celem CZT jest dalszy rozwój technologii krzemu krystalicznego oraz krzemowych warstw epitaksjalnych dla urządzeń mikroelektronicznych. Płytki z monokrystalicznego krzemu są podstawowym materiałem przy produkcji układów mikroelektronicznych, zarówno elementów dyskretnych (diod, tranzystorów, itd.) jak również układów scalonych (tzw. "chipów"). Postępująca miniaturyzacja układów mikroelektronicznych stawia producentów krzemu wobec konieczności systematycznego udoskonalania technologii, zwiększania średnicy płytek, poprawiania parametrów technicznych (parametrów elektrycznych, fizykochemicznych, geometrycznych, stanu powierzchni, itd.).

W ramach Centrum Zaawansowanych Technologii Materiałów zgłoszone zostały następujące projekty:
  1. Centrum Technologii Nanostruktur Półprzewodnikowych i Biosensorów.

  2. Specjalistyczne Laboratorium Badawczo-Rozwojowe dla nowej generacji epitaksjalnych płytek krzemowych.


     Przyznane granty:

"Centrum technologii nanostruktur półprzewodnikowych i biosensorów", 2007-2008, we współpracy z Instytutem Fizyki PAN i Instytutem Wysokich Ciśnień PAN, otrzymało dotacje z funduszy strukturalnych Unii Europejskiej i Ministerstwa Nauki i Szkolnictwa Wyższego, program 1.4.3 SPO-WKP.


 
 
 
Adres:     al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
Tel.:   (+48 22) 843 70 01 NIP:  525-000-92-75
Fax.:  (+48 22) 843 09 26 REGON:  000326061