"Ultranowoczesna gospodarka"
artykuł w 'Dzienniku - Gazeta prawna' z dnia 30 kwietnia 2010 r.
Udział Instytutu Fizyki PAN w Międzynarodowych targach
"OPTON"
( więcej... )
Superczuły czujnik wykrywający melaminę
( więcej... )
Udział Instytutu Fizyki PAN w 5. Targach Techniki Przemysłowej, Nauki i Innowacji
"Technicon Innowacje"
Wpis do katalogu Targów: ( 
)
W dniach 28 - 29 października 2009 r. odbyły się w Gdańsku 5. Targi Techniki Przemysłowej, Nauki i Innowacji
"Technicon Innowacje" poświęcone zagadnieniom zrównoważonego rozwoju oraz działaniom na rzecz innowacyjności.
Uczestnicy Targów przedstawiali swoje najnowsze odkrycia i osiągnięcia z różnych obszarów nauki i techniki.
W tym roku w targach wzięły też udział instytucje uczestniczące w pracach prowadzonych w ramach Projektu
kluczowego PO IG 1.1.2: "Kwantowe nanostruktury półprzewodnikow do zastosowań w biologii i medycynie -
Rozwój i komercjalizacja nowej generacji urządzeń diagnostyki molekularnej opartych o nowe polskie przyrządy
półprzewodnikowe".
Instytut Fizyki PAN reprezentowali prof. Leszek Sirko, prof. Marek Godlewski, pani Iwona Kaniecka
i pan Maciej Zajączkowski,
Instytut Wysokich Ciśnień PAN prof. Michał Leszczyński a Instytut Chemii Fizycznej PAN
dr inż. Krzysztof Noworyta.
Zaprezentowane prace zostały bardzo wysoko ocenione przez organizatorów i uczestników
targów. Instytut Fizyki PAN reprezentujący wszystkie placówki naukowe zaangażowane w działalność
w ramach Projektu kluczowego PO IG 1.1.2 nagrodzony został medalem w konkursie INNOWACJE 2009.
( wróć... )
Sprawozdania z realizacji zadań
Instytut Fizyki PAN
W dniu 15 października 2009 r. o godzinie 10:00 w Instytucie Fizyki PAN w sali D obyła się sesja
sprawozdawcza dotycząca zadań badawczych realizowanych przez IF PAN, WEMiF PWr oraz ICM UW w ramach
projektu kluczowego pt.
"Kwantowe nanostruktury półprzewodnikowe do zastosowań w biologii i medycynie
- Rozwój i komercjalizacja nowej generacji urządzeń diagnostyki molekularnej opartych
o nowe polskie przyrządy półprzewodnikowe".
Program sesji: ( )
Instytut Chemii Fizycznej PAN
W dniu 30 września 2009 r. o godzinie 13:00 w Auli Instytutu Chemii Fizycznej obyła się
III Seminarium Sprawozdawcze IChF z realizacji projektu kluczowego "Kwantowe nanostruktury półprzewodnikowe
do zastosowań w biologii i medycynie - Rozwój i komercjalizacja nowej generacji urządzeń
diagnostyki molekularnej opartych o nowe polskie przyrządy półprzewodnikowe".
Temat przewodni sesji: Modyfikacje powierzchni - chemia.
O godz. 14-tej gość specjalny prof. Marcin Majda z UC Berkeley wygłosi wykład pt.
"Antibody-antigen Equilibria in a Field of an External Force: Design of Reagentless Biosensors".
Instytut Wysokich Ciśnień PAN
W dniu 17 lipca 2009 r. o godzinie 11:00 w Instytucie Wysokich Ciśnień obyła się sesja
sprawozdawcza z realizacji projektu kluczowego "Kwantowe nanostruktury półprzewodnikowe
do zastosowań w biologii i medycynie - Rozwój i komercjalizacja nowej generacji urządzeń
diagnostyki molekularnej opartych o nowe polskie przyrządy półprzewodnikowe".
Instytut Fizyki PAN
W dniu 16 lipca 2009 r. o godzinie 10:00 w Instytucie Fizyki PAN w sali D obyła się sesja
sprawozdawcza z wykonania prac prowadzonych w IF PAN w ramach projektu kluczowego
"Kwantowe nanostruktury półprzewodnikowe do zastosowań w biologii i medycynie
- Rozwój i komercjalizacja nowej generacji urządzeń diagnostyki molekularnej opartych
o nowe polskie przyrządy półprzewodnikowe".
Program sesji: ( )
Instytut Chemii Fizycznej PAN
W dniu 24 czerwca 2009 r. o godzinie 10:00 w Instytut Chemii Fizycznej PAN obyła się sesja
sprawozdawcza z wykonania prac prowadzonych w IChF PAN w ramach projektu kluczowego
"Kwantowe nanostruktury półprzewodnikowe do zastosowań w biologii i medycynie
- Rozwój i komercjalizacja nowej generacji urządzeń diagnostyki molekularnej opartych
o nowe polskie przyrządy półprzewodnikowe".
Instytut Wysokich Ciśnień PAN, 01 października 2008 - 31 marca 2009
W ramach realizacji tych zadań uzyskano szereg nowych ważnych wyników naukowych i zanotowano znaczący postęp
technologiczny w szeregu zagadnień. W przypadku planowanej krystalizacji GaN uzyskano podłoża o zaplanowanych
parametrach technologicznych, które zostały przekazane do przeprowadzenia procesów epitaksji w ramach innych
zadań projektu. W procesach krystalizacji wysokociśnieniowej zostały zbadane warunki termodynamiczne
stabilnej morfologicznie krystalizacji na dużych podłożach w różnych konfiguracjach przy uwzględnieniu dużej
anizotropii wzrostu. Przykład płytki otrzymanej podczas krystalizacji w kierunku niepolarnym został pokazany
na rys. 1.
| |
| |
|
|
Rys. 1 Przekrój poprzeczny płytki GaN przygotowanej do wzrostu na orientacji niepolarnej
po obustronnym wzroście wysokociśnieniowym w czasie 30 godzin. Widoczne makroskopowe
stopnie wzrostu będące wynikiem silnej dezorientacji kryształu - zarodzi od nisko-indeksowej
płaszczyzny {10-10}.
|
|
| |
( więcej... )
