Konspekt informacyjny

IF PAN » NANOBIOM » Wykonawcy projektu » Instytut Technologii Elektronowej

Instytut Technologii Elektronowej

 
  W ramach realizacji projektu w Instytucie Technologii Elektronowej prowadzone są nastepujące prace:
Zadanie 23.
Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych.
Zadanie 24.
Opracowanie technologii warstw dielektrycznych dla heterozłączowych tranzystorów typu ISFET i MISFET na bazie GaN i ZnO.

Zadania badawcze planowane do wykonania w ramach Projektu przez Instytut Technologii Elektronowej realizowane są na terenie Instytutu Technologii Elektronowej, położonym przy al. Lotników 32/46 w Warszawie.