Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk

Zadanie 7

Krystalizacja objętościowa GaN metodą High Nitrogen Pressure Solution (HNPS) na zarodziach GaN o duzych rozmiarach z metody HVPE i HNPS.

Zadanie 8

Krystalizacja objętościowa GaN metodą HVPE w celu uzyskania zarodzi GaN o dużych rozmiarach i o różnych orientacjach krystalograficznych.

Zadanie 9

Zastosowanie modelowania wielo-skalowego do optymalizacji technologii laserów emitujących w zakresie 380-500 nm, opartych na bazie azotków metali grupy III.

Zadanie 10

Zbadanie mechanizmów wzrostu azotkowych epitaksjalnych struktur kwantowych dla potrzeb nowej generacji emiterów światła.

Zadanie 11

Zbadanie mechanizmów generacji światła w azotkowych strukturach kwantowych.

Zadanie 12

Zakup i uruchomienie urządzenia do epitaksji azotków metodą z wiązek metalorganicznych (MOVPE).

Zadanie 13

Nanostruktury azotkowe dla potrzeb sensorów optycznych.

Zadanie 14

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych (380 - 520 nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych.

Zadanie 15

Opracowanie i wytworzenie azotkowych struktur kwantowych z dwuwymiarowym gazem elektronów do wykorzystania w sensorach elektrycznych.

Zadania badawcze IWC PAN realizowane są w dwu budynkach, w których istnieje odpowiednia baza techniczna. Zadania badawcze 1 i 2, realizowane są w budynku IWC PAN, przy ul Sokołowskiej 29/37, gdzie znajduje się baza techniczna dotyczące krystalizacji wysokociśnieniowej, krystalizacji HVPE oraz laboratorium przygotowania powierzchni podłoży GaN do epitaksji. Zadanie badawcze 3, realizowane jest również w budynku w Warszawie przy ul. Sokołowskiej 29/37, gdzie znajdują się komputery do wykonywania części obliczeń. Znaczna część obliczeń wykonywana jest zdalnie na komputerach ICM UW, znajdujących się w siedzibie ICM w Warszawie, przy ul. Pawińskiego 5. Zadania 4-9 wykonywane są w budynku IWC PAN przy ul. Prymasa Tysiąclecia 98. W budynku tym znajduje się baza techniczna do wykonywania epitaksji MOVPE oraz MBE, laboratoria processingu oraz charakteryzacji optycznej, elektrycznej i strukturalnej oraz mikroskopia AFM.