Konspekt informacyjny

Konferencje

Panel ekspertów

IF PAN » NANOBIOM » Wykonawcy projektu » Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, PWr
do góry powrót

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Politechnika Wrocławska

 
  W ramach realizacji projektu na Wydziale Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej prowadzone są nastepujące prace:
Zadanie 20.
Wzrost i charakteryzacja struktur epitaksjalnych GaN/AlGaN z 2DEG metodą MOVPE oraz opracowanie technologii i konstrukcji testowych struktur przyrządowych tranzystorów HFET z chemiczną bramką, w tym zakup reaktora MOVPE.
Zadanie 21.
Processing uproszczony (metalizacja) struktur GaN/AlGaN dwuwymiarowego gazu elektronowego (2DEG).
Zadanie 22.
Wytwarzanie i charakteryzacja testowych struktur przyrządowych tranzystorów HFET z otwartą bramką do testów bio-kompatybilności i funkcjonalizacji powierzchni.

Projekt realizowany jest w laboratoriach kompleksu technologicznego Wydziału Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Wybrzeże St. Wyspiańskiego 27 oraz w laboratorium pomiarów optycznych Instytutu Fizyki Politechniki Wrocławskiej.