Panel Ekspertów
Projekt Kluczowy:
Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe
do Zastosowań w Biologii i Medycynie - Rozwój i Komercjalizacja
Nowej Generacji Urządzeń Diagnostyki Molekularnej Opartych
o Nowe Polskie Przyrządy Półprzewodnikowe
2 - 3 grudnia 2009
Instytut Fizyki PAN
al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa
Audytorium im. L. Sosnowskiego
PROGRAM
2 grudnia
3 grudnia
-
9:00 - 9:20 prof. Czesław Skierbiszewski (Instytut Wysokich Ciśnień PAN))
Mechanizmy wzrostu AlGaInN w metodzie MBE i ich wpływ a własności
przyrządów optoelektronicznych i elektronicznych
9:20 - 9:30 Dyskusja i pytania ekspertów
-
9:30 - 9:50 prof. Michał Leszczyński (Instytut Wysokich Ciśnień PAN))
Mechanizmy wzrostu i domieszkowania warstw AlGaInN w metodzie
MOVPE i ich wpływ na własności przyrządów optoelektronicznych
9:50 - 10:00 Dyskusja i pytania ekspertów
-
10:00 - 10:20 prof. Regina Paszkiewicz
(Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Politechnika Wrocławska)
Wzrost i charakteryzacja struktur epitaksjalnych GaN/AlGaN z 2DEG
metodą MOVPE oraz opracowanie technologii konstrukcji testowych
struktur przyrządowych tranzystorów HFET z chemiczną bramką
10:20 - 10:30 Dyskusja i pytania ekspertów
-
10:30 - 11:00
PRZERWA NA KAWĘ
-
11:00 - 11:20 prof. Jan Misiewicz i dr Robert Kudrawiec
(Instytut Fizyki, Politechnika Wrocławska)
Charakteryzacja struktur na bazie GaN i ZnO metodami Optycznej
spektroskopii elektromodulacyjnej oraz spektroskopii rozdzielonej
w czasie
11:20 - 11:30 Dyskusja i pytania ekspertów
-
11:30 - 11:50 dr Marek Guziewicz(Instytut Technologii Elektronowej)
Opracowanie metalizacji struktur półprzewodnikowych na bazie GaN
i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych.
Opracowanie technologii warstw dielektrycznych dla heterozłączowych
tranzystorów typu ISFET i MISFET na bazie GaN i ZnO.
11:50 - 12:00 Dyskusja i pytania ekspertów
-
12:00 - 12:30
DYSKUSJA
-
12:30 - 13:00
OBIAD
|
