Konspekt informacyjny

Konferencje

Panel ekspertów

IF PAN » NANOBIOM » Panel ekspertów » Panel ekspertów 2009 » Program » 2 grudnia
do góry powrót

 
 
Panel Ekspertów

Projekt Kluczowy:
Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe
do Zastosowań w Biologii i Medycynie - Rozwój i Komercjalizacja
Nowej Generacji Urządzeń Diagnostyki Molekularnej Opartych
o Nowe Polskie Przyrządy Półprzewodnikowe


2 - 3 grudnia 2009

Instytut Fizyki PAN
al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa
Audytorium im. L. Sosnowskiego



PROGRAM


2 grudnia

  • 9:00 - 9:15   prof. Leszek Sirko   (Instytut Fizyki PAN)
                          Otwarcie panelu

  • 9:15 - 9:35   doc. Piotr Garstecki   (Instytut Chemii Fizycznej PAN)
                          Procedura fabrykacji układów mikroprzepływowych w poliwęglanie
                          z przykładami jej zastosowania
    9:35 - 9:45   Dyskusja i pytania ekspertów

  • 9:45 - 10:05     dr Krzysztof Noworyta   (Instytut Chemii Fizycznej PAN)
                               Elektrochemicznie osadzane polimery jako warstwy rozpoznające
                               chemosensorów
    10:05 - 10:15   Dyskusja i pytania ekspertów

  • 10:15 - 10:35   prof. Aleksander Jabłoński i dr Janusz Sobczak
                               (Instytut Chemii Fizycznej PAN)
                               Nowe możliwości analizy powierzchni; wybrane zagadnienia
    10:35 - 10:45   Dyskusja i pytania ekspertów

  • 10:45 - 11:05   dr Agnieszka Kamińska   (Instytut Chemii Fizycznej PAN)
                               Sersowskie platformy diagnostyczne - ich właściwości i zastosowanie
                               w detekcji przeciwciał
    11:05 - 11:15   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 11:15 - 11:45   
             
    PRZERWA NA KAWĘ


  • 11:45 - 12:05   dr Jakub Włodarczyk   (Instytut Biologii Doświadczalnej PAN)
                               Wykorzystanie oddziaływań powierzchni półprzewodników z białkami
                               do badań lokalizacji i funkcji receptorów błonowych w neuronach
    12:05 - 12:15   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 12:15 - 12:35   mgr Jakub Sołtys   (ICM, Uniwersytet Warszawski)
                               Studium zbieżności dla powierzchni GaN i ZnO modelowanie oddziaływań
                               molekuł biologicznych z powierzchniami GaN i ZnO
    12:35 - 12:45   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 12:45 - 13:05   prof. Danek Elbaum   (Instytut Fizyki PAN)
                               Funkcjonalizacja powierzchni warstw ZnO i struktur tlenkowych
                               i azotowych. Opracowanie metod domieszkowania struktur
                               i warstw tlenkowych.
    13:05 - 13:15   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 13:15 - 14:15   
             
    OBIAD


  • 14:15 - 14:35   prof. Marek Godlewski   (Instytut Fizyki PAN)
                               Opracowanie technologii cienkich warstw ZnO i optymalizacja
                               parametrów elektrycznych tych warstw do złącz Schottky'go
    14:35 - 14:45   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 14:45 - 15:05   prof. Tomasz Wojtowicz   (Instytut Fizyki PAN)
                               Opracowanie tlenkowych nanostruktur
    15:05 - 15:15   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 15:15 - 15:45   
             
    PRZERWA NA KAWĘ


  • 15:45 - 16:00   prof. Michał Leszczyński   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                               Rola półprzewodników azotkowych w konstrukcjach sensorów
                               optycznych i elektronicznych
    16:00 - 16:10   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 16:10 - 16:30   doc. Izabella Grzegory   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                               Krystalizacja objętościowa GaN metodą High Nitrogen Pressure Solution
                               (HNPS) a zarodziach GaN o dużych rozmiarach z metody HVPE i HNPS.
                               Krystalizacja objętościowa GaN metodą HVPE w celu uzyskania zarodzi                            GaN o dużych rozmiarach i o różnych orientacjach krystalograficznych.
    16:30 - 16:40   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 16:40 - 17:00   prof. Stanisław Krukowski   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                               Zastosowanie modelowania wielo-skalowego do optymalizacji technologii
                               laserów emitujących w zakresie 380-500 nm, opartych na bazie azotków
                               metali grupy III
    17:00 - 17:10   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 17:10 - 17:40   
             
    DYSKUSJA

  • 17:40   
             
    KOLACJA KONFERENCYJNA
3 grudnia