| |
VI Konferencja
Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe
do Zastosowań w Biologii i Medycynie
7 - 8 maja 2014
Instytut Fizyki PAN
al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa
Audytorium im. L. Sosnowskiego
PROGRAM
7 maja
8 maja
-
9:00 - 9:25
prof. Marcin Opałło (Instytut Chemii Fizycznej PAN)
Unieruchomienie nanoobiektów i enzymów na powierzchni elektrod
i ich zastosowanie w bioogniwach, fotoogniwach i sensorach.
-
9:25 - 9:50
prof. Piotr Garstecki (Instytut Chemii Fizycznej PAN)
Opracowanie technik mikrofabrykacji układów mikroprzepływowych
oraz ich integracja z sensorami.
-
9:50 - 10:10
dr Krzysztof Noworyta (Instytut Chemii Fizycznej PAN)
Elektrochemicznie osadzane warstwy polimerów wdrukowanych biorelewantnymi
analitami jako selektywne warstwy rozpoznające w elektrochemicznych
i piezomikrograwimetrycznych czujnikach chemicznych.
-
10:10 - 10:40
prof. Aleksander Jabłoński (Instytut Chemii Fizycznej PAN)
Charakterystyka powierzchni przewodzących i półprzewodnikowych
wybranymi metodami fizykochemicznymi.
-
10:40 - 11:00
dr Agnieszka Michota-Kamińska (Instytut Chemii Fizycznej PAN)
Opracowanie podstaw budowy sensora przeciwciałna bazie
powierzchni GaN i ZnO modyfikowanej polipeptydami.
-
11:00 - 11:30
PRZERWA NA KAWĘ
-
11:30 - 11:40
prof. Grzegorz Wilczyński (Instytut Biologii Doświadczalnej PAN)
Wykorzystanie oddziaływań powierzchni półprzewodników z białkami
do badań lokalizacji i funkcji receptorów błonowych w neuronach.
-
11:40 - 12:15
dr Anna Baranowska-Korczyc, dr Bożena Sikora, mgr Izabela Kamińska
(Instytut Fizyki PAN)
Projektowanie biosensorów półprzewodnikowych do zastosowań
w biologii i medycynie.
-
12:15 - 12:30
mgr Grzegorz Nawrocki (Instytut Fizyki PAN)
Aminokwasy i białka przy powierzchni złota.
-
12:30 - 13:00
mgr inż. Jakub Sołtys (ICM, Uniwersytet Warszawski)
Nanostruktury kwantowe 2-d i 1-d w modelowaniu ab initio.
-
13:00 - 13:30
mgr inż. Jakub Kaczmarski, mgr inż. J Grochowski, mgr M. Kozubal,
mgr inż. A. Taube, dr inż. E. Kamińska, prof. A. Piotrowska
(Instytut Technologii Elektronowej)
Obróbka technologiczna heterostruktury HEMT na bazie ZnO.
Wytwarzanie przezroczystego tranzystora TFT na elastycznym podłożu.
-
13:30
OBIAD
|
|
