Konspekt informacyjny

Konferencje

Panel ekspertów

IF PAN » NANOBIOM » Konferencje » Kwantowe Nanostruktury VI » Program » 7 maja
do góry powrót

 
 
VI Konferencja
Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe
do Zastosowań w Biologii i Medycynie


7 - 8 maja 2014

Instytut Fizyki PAN
al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa
Audytorium im. L. Sosnowskiego



PROGRAM


7 maja

  • 9:00 - 9:30   
             
    REJESTRACJA UCZESTNIKÓW / KAWA POWITALNA


  • 9:30 - 9:50
          prof. Leszek Sirko   (Instytut Fizyki PAN)
                 Otwarcie konferencji
  • 9:50 - 10:20
          prof. Marek Godlewski   (Instytut Fizyki PAN)
                 Opracowanie technologii nanostruktur ZnO i optymalizacja ich parametrów
                 do zastosowań sensorowych.
  • 10:20 - 10:50
          prof. Tomasz Wojtowicz   (Instytut Fizyki PAN)
                 Aktywne optycznie nanodruty oraz dwuwymiarowy gaz elektronowy
                 w półprzewodnikowych związkach II-VI do zastosowań sensorycznych.
  • 10:50 - 11:10
          prof. Elbieta Guziewicz   (Instytut Fizyki PAN)
                 Optymalizacja parametrów elektrycznych cienkich warstw ZnO-ALD
                 i opracowanie metod ich domieszkowania.
                 Wykonanie złącz Schottky'ego, homozłącz oraz detektorów na bazie
                 otrzymanego tlenku cynku.
  • 11:10 - 11:30
          dr Ewa Przeździecka   (Instytut Fizyki PAN)
                 Selektywne detektory UV na bazie struktur diodowych ZnO/GaN
                 do zastosowań sensorowychwykonanych metodą MBE.
  • 11:30 - 11:50
          prof. Adrian Kozanecki   (Instytut Fizyki PAN)
                 Struktury kwantowe ZnMgO/ZnO/ZnMgO wytwarzane metodą MBE.
  • 11:50 - 12:20   
             
    PRZERWA NA KAWĘ


  • 12:20 - 12:50
          mgr inż. Kamil Kłosek   (Instytut Fizyki PAN)
                 Nanostruktury GaN i GaN/AlGaN wytwarzane metodą plasma-assisted MBE.
  • 12:50 - 13:05
          prof. Izabella Grzegory   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                 Wstęp. Najważniejsze wyniki uzyskane w projekcie.
  • 13:05 - 13:35
          dr hab. Michał Boćkowski   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                 Wzrost kryształów GaN.
  • 13:35 - 13:50
          prof. Stanisław Krukowski   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                 Własności równowagowe i dynamiczne powierzchni GaN(0001).
  • 13:50 - 14:50   
             
    OBIAD


  • 14:50 - 15:10
          prof. Michał Leszczyński    (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                 Epitaksja struktur kwantowych metodą MOVPE do zastosowań w emiterach
                 i tranzystorach.
  • 15:10 - 15:30
          dr Jan Weyher   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                 Platformy SERS na fototrawionym GaN.
  • 15:30 - 15:50
          prof. Tadeusz Suski   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                 Inżynieria przerwy energetycznej - supersieci GaN/InN.
  • 15:50 - 16:00
          prof. Piotr Perlin   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                 Lasery InGaN - wyzwania i problemy.
  • 16:00 - 16:30   
             
    PRZERWA NA KAWĘ


  • 16:30 - 16:40
          mgr Szymon Stańczyk   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                 Nowe koncepcje laserów i matryc laserowych.
  • 16:40 - 16:50
          mgr inż. Anna Kafar   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                 Diody SLED wysokiej mocy.
  • 16:50 - 17:00
          prof. Czesław Skierbiszewski   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                 Rozwój MBE do zastosowań w emiterach światła.
  • 17:00 - 17:10
          mgr Grzegorz Muzioł   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                 Diody laserowe MBE wykorzystujące falowody InGaN.
  • 17:10 - 17:20
          mgr Marta Sawicka   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                 Ultrafioletowe lasery na podłożach semipolarnych GaN.
  • 17:20 - 17:40
          prof. Regina Paszkiewicz   (Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki,
                 Politechnika Wrocławska)
                 Wzrost i charakteryzacja struktur epitaksjalnych GaN/AlGaN z 2DEG metodą
                 MOVPE oraz opracowanie technologii i konstrukcji testowych struktur
                 przyrządowych tranzystorów HFET z chemiczną bramką.
  • 17:40 - 18:00
          dr hab. Robert Kudrawiec   (Instytut Fizyki, Politechnika Wrocławska)
                 Charakteryzacja struktur na bazie GaN i ZnO metodami optycznej spektroskopii
                 elektromodulacyjnej oraz spektroskopii rozdzielonej w czasie.
  • 18:00   
             
    KOLACJA KONFERENCYJNA
8 maja