| |
I Konferencja
Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe
do Zastosowań w Biologii i Medycynie
3 - 4 lutego 2009
Instytut Fizyki PAN
al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa
Audytorium im. L. Sosnowskiego
PROGRAM
3 lutego
-
12:15 prof. Leszek Sirko (Instytut Fizyki PAN)
Otwarcie konferencji
-
12:30 dr Elżbieta Guziewicz (Instytut Fizyki PAN)
Opracowanie technologii cienkich warstw ZnO i optymalizacja parametrów
elektrycznych tych warstw do złącz Schottky'go.
(  )
-
13:00 prof. Tomasz Wojtowicz (Instytut Fizyki PAN)
Opracowanie tlenkowych nanostruktur.
-
13:30 doc. Izabella Grzegory (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Krystalizacja objętościowa GaN metodą High Nitrogen Pressure Solution
(HNPS) na zarodziach GaN o dużych rozmiarach z metody HVPE i HNPS.
Krystalizacja objętościowa GaN metodą HVPE w celu uzyskania zarodzi
GaN o dużych rozmiarach i o różnych orientacjach krystalograficznych.
-
14:00 - 15:00
OBIAD
-
15:00 prof. Stanisław Krukowski (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Zastosowanie modelowania wieloskalowego do optymalizacji technologii
laserów emitujących w zakresie 380-500 nm, opartych na bazie azotków
metali grupy III.
( )
-
15:20 prof. Michał Leszczyński (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Zbadanie mechanizmów wzrostu azotkowych epitaksjalnych struktur
kwantowych dla potrzeb nowej generacji emiterów światła.
-
15:40 prof. Tadeusz Suski (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Zbadanie mechanizmów generacji światła w azotkowych strukturach
kwantowych.
(  )
-
16:00 prof. Czesław Skierbiszewski (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Opracowanie i wytworzenie azotkowych struktur kwantowych
z dwuwymiarowym gazem elektronów do wykorzystania w sensorach
elektrycznych.
( )
-
16:20 doc. Piotr Perlin (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Nanostruktury azotkowe dla potrzeb sensorów optycznych.
Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych (380 - 520 nm) w celu
ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych.
( )
-
16:50 - 17:20
PRZERWA NA KAWĘ
-
17:20 prof. Marek Tłaczała (Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki,
Politechnika Wrocławska)
Wzrost i charakteryzacja struktur epitaksjalnych GaN/AlGaN z 2DEG metodą
MOVPE oraz opracowanie technologii i konstrukcji testowych struktur
przyrządowych tranzystorów HFET z chemiczną bramką.
-
17:50 mgr Jakub Sołtys (ICM, Uniwersytet Warszawski)
Studium zbieżności dla powierzchni GaN i ZnO.
Modelowanie oddziaływań molekuł biologicznych z powierzchniami GaN
i ZnO.
-
18:20
KOLACJA KONFERENCYJNA
4 lutego
|
|
