Konspekt informacyjny

Konferencje

Panel ekspertów

IF PAN » NANOBIOM » Panel ekspertów » Panel ekspertów 2012 » Program » 5 grudnia
do góry powrót

 
 
Panel Ekspertów

Projekt Kluczowy:
Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe
do Zastosowań w Biologii i Medycynie - Rozwój i Komercjalizacja
Nowej Generacji Urządzeń Diagnostyki Molekularnej Opartych
o Nowe Polskie Przyrządy Półprzewodnikowe


5 - 6 grudnia 2012

Instytut Fizyki PAN
al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa
Audytorium im. L. Sosnowskiego



PROGRAM


5 grudnia

  • 9:00 - 9:20   prof. Leszek Sirko   (Instytut Fizyki PAN)    ( )
                          Otwarcie panelu

  • 9:20 - 9:40   prof. Marek Godlewski   (Instytut Fizyki PAN)    ( )
                          Kontynuacja prac z zadania 2 - niskowymiarowe struktury ZnO.
                          (Zadania 2 - 6)
                          mgr Bartłomiej Witkowski   (Instytut Fizyki PAN)    ( )
                          Sensory na nanodrutach ZnO wytwarzanych metodą ALD.  (Zadanie 3)
    9:40 - 9:50   Dyskusja i pytania ekspertów

  • 9:50 - 10:10     prof. Tomasz Wojtowicz   (Instytut Fizyki PAN)    ( )
                               Opracowanie tlenkowych nanostruktur i metody wytwarzania
                               nanodrutów i nanostruktur związków II-VI. Adiabatyczny tranzystor                            spinowy.      (Zadanie 3)
                               dr Sergiej Yatsunienko   (Instytut Fizyki PAN)
                               Biomarkery tlenkowe.  (Zadanie 4)
    10:10 - 10:20   Dyskusja i pytania ekspertów

  • 10:20 - 10:40   prof. Elżbieta Guziewicz   (Instytut Fizyki PAN)    ( )
                               Technologia ALD p-typu ZnOL.  (Zadanie 4)
                               mgr Sylwia Gierałtowska   (Instytut Fizyki PAN)    ( )
                               Tranzystor polowy ZnO z bramką chemiczną metodą ALD.  (Zadanie 2)
    10:40 - 10:50   Dyskusja i pytania ekspertów

  • 10:50 - 11:10   Zbigniew Żytkiewicz   (Instytut Fizyki PAN)    ( )
                               Wytworzenie struktur GaN, AlGaN i GaN/AlGaN metodą PAMBE
                               do zastosowań sensorowych.      (Zadanie 5)
    11:10 - 11:20   Dyskusja i pytania ekspertów

  • 11:20 - 11:50   
             
    PRZERWA NA KAWĘ


  • 11:50 - 12:10   prof. Adrian Kozanecki   (Instytut Fizyki PAN)    ( )
                               Wzrost i charakteryzacja nanostruktur tlenkowych ZnO
                               i ZnMgO/ZnO/ZnMgO wytwarzanych metodą MBE do zastosowań
                               sensorowych.
                                    (Zadanie 6)
                               dr Ewa Przeździecka   (Instytut Fizyki PAN)
                               Struktury diodowe na bazie ZnO wytwarzanego metodą MBE
                               do zastosowań sensorowych.      (Zadanie 6)
    12:10 - 12:20   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 12:20 - 12:40   prof. Regina Paszkiewicz   (Wydział Elektroniki Mikrosystemów
                               i Fotoniki, Politechnika Wrocławska)    ( )
                               Wzrost i charakteryzacja struktur epitaksjalnych GaN/AlGaN z 2DEG
                               metodą MOVPE oraz opracowanie technologiii konstrukcji testowych
                               struktur przyrządowych tranzystorów HFET z chemiczną bramką.
                                   (Zadania 21 i 22)
    12:40 - 12:50   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 12:50 - 13:10   dr inż. Marta Gładysiewicz, dr hab. Robert Kudrawiec
                               i prof. Jan Misiewicz       (Instytut Fizyki, Politechnika Wrocławska)    ( )
                               Charakteryzacja struktur na bazie GaN  i  ZnO metodami optycznej
                               spektroskopii elektromodulacyjnej oraz spektroskopii rozdzielonej
                               w czasie.      (Zadania 21 i 22)
    13:10 - 13:20   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 13:20 - 14:20   
             
    OBIAD


  • 14:20 - 14:40   mgr Michał Borysiewicz, mgr Anna Baranowska-Korczyc,
                               dr Krzysztof Fronc, prof. Danek Elbaum, prof. Eliana Kamińska,
                               prof. Anna Piotrowska        (Instytut Technologii Elektronowej)    ( )
                               Cienkie porowate warstwy ZnO do zastosowań sensorowych
                                   (Zadanie 23)
    14:40 - 14:50   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 14:50 - 15:10   mgr inż. Jakub Kaczmarski, dr Elżbieta Dynowska,
                               mgr Jan Dyczewski, mgr inż. Andrzej Taube,
                               dr inż. Damian Pucicki, mgr inż. Marek Ekielski,
                               prof. Eliana Kamińska, prof. Anna Piotrowska
                               (Instytut Technologii Elektronowej)    ( )
                               Cienkie warstwy InGaZnO do zastosowań sensorowych
                                   (Zadanie 24)
    14:40 - 14:50   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 14:50 - 15:10   mgr Michał Borysiewicz, prof. Eliana Kaminska, prof. Anna Piotrowska                            (Instytut Technologii Elektronowej)
                               Cienkie porowate warstwy tlenku cynku do zastosowań
                                   czujnikowych. (Zadanie 23)
    15:10 - 15:20   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 15:20 - 15:40   prof. Tadeusz Suski   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)    ( )
                               Zadania IWC PAN w Projekcie NanoBiom - Wprowadzenie.
                                   (Zadania 7 - 15)
    15:40 - 15:50   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 15:50 - 16:20   dr Michał Boćkowski   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)    ( )
                               Krystalizacja GaN w Projekcie NanoBiom.  (Zadania 7 i 8)
    16:20 - 16:30   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 16:30 - 17:00   
             
    PRZERWA NA KAWĘ


  • 17:00 - 17:20   prof. Stanisław Krukowski   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)    ( )
                               Elektronowe i konfiguracyjne własności powierzchnin
                               GaN (0001) w warunkach wysokiego pokrycia amoniakiem.
                                   (Zadanie 9)
    17:20 - 17:30   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 17:30 - 17:50   mgr inż. Robert Czernecki, mgr Ewa Grzanka    ( )
                               (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
                               Mechanizmy wzrostu studni kwantowych InGaN w metodzie MOVPE.
                                   (Zadanie 10)
    17:50 - 18:00   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 18:00 - 18:20   prof. Czesław Skierbiszewski   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)    ( )
                               Mechanizmy wzrostu InGaN oraz mechanizmy rekombinacji
                               nośników w studniach kwantowych uzyskiwanych metodą PA-MBE.                                 (Zadania 10 i 11)
    18:20 - 18:30   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 18:30 - 18:50   dr Marcin Sarzyński   (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)    ( )
                               Wzrost struktur InGaN na podłożach kształtowanych przestrzennieh
                                   (Zadanie 13)
    18:50 - 19:00   Dyskusja i pytania ekspertów


  • 19:00 - 19:20   
             
    DYSKUSJA
  • 19:20   
             
    KOLACJA KONFERENCYJNA

6 grudnia