Panel Ekspertów
Projekt Kluczowy:
Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe
do Zastosowań w Biologii i Medycynie - Rozwój i Komercjalizacja
Nowej Generacji Urządzeń Diagnostyki Molekularnej Opartych
o Nowe Polskie Przyrządy Półprzewodnikowe
1 - 2 grudnia 2011
Instytut Fizyki PAN
al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa
Audytorium im. L. Sosnowskiego
PROGRAM
1 grudnia
2 grudnia
-
9:00 - 9:20 prof. Michał Leszczyński (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
(
 )
Rola półprzewodników azotkowych w konstrukcjach sensorów optycznych
i elektronicznych - zastosowania.
(Zadania 7 - 15)
9:20 - 9:30 Dyskusja i pytania ekspertów
-
9:30 - 9:50 dr Michał Boćkowski (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
( )
Krystalizacja objętościowa GaN metodą High Nitrogen Pressure Solution
(HNPS) na zarodziach GaN o dużych rozmiarach z metody HVPE i HNPS.
(Zadanie 7)
Krystalizacja objętościowa GaN metodą HVPE w celu uzyskania zarodzi
GaN o dużych rozmiarach i o różnych orientacjach krystalograficznych.
(Zadanie 8)
9:50 - 10:00 Dyskusja i pytania ekspertów
-
10:00 - 10:20 mgr Henryk Turski (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
( )
Mechanizmy wzrostu InGaN w PAMBE. Nowe konstrukcje diode
InGaN w PAMBE. Nowe konstrukcje diode.
(Zadania 10 i 14)
10:20 - 10:30 Dyskusja i pytania ekspertów
-
10:30 - 11:00
PRZERWA NA KAWĘ
-
11:00 - 11:20 dr Marcin Sarzynski (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
( )
Zastosowanie projektowania orientacji podłoża w celu uzyskania
optymalnie kształtowanych składów aktywnych warstw GaInN
dla nowych przyrządów optoelektronicznych.
(Zadania 11 i 14)
11:20 - 11:30 Dyskusja i pytania ekspertów
-
11:30 - 11:50 prof. Piotr Perlin (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Nowe technologie diod superluminescencyjnych i laserowych.
Zastosowanie urządzenia MOVPE AIXTRON w technologii
przyrządów azotkowych.
(Zadanie 14)
11:50 - 12:00 Dyskusja i pytania ekspertów
-
12:00 - 12:20 dr Paweł Prystawko (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
( )
Własności struktur GaN/AlGaN z dwuwymiarowym gazem elektronów
uzyskiwanych metodą MOVPE na podłożach z azotku galu.
(Zadanie 15)
12:20 - 12:30 Dyskusja i pytania ekspertów
-
12:30 - 12:50 dr Paweł Strąk (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
( )
Wpływ geometrii i składu studni kantowych na efektywność rekombinacji
promienistej. Wyznaczenie dyfuzji atomów metali na powierzchni GaN
w warunkach odpowiednich dla metod MOVPE i HVPE.
(Zadanie 9)
12:50 - 13:00 Dyskusja i pytania ekspertów
-
13:00 - 14:00
OBIAD
-
14:00 - 14:20 mgr Jakub Sołtys (ICM, Uniwersytet Warszawski)
( )
Modelowanie oddziaływań molekuł biologicznych z powierzchniami
GaN i ZnO
(Zadania 27)
14:20 - 14:30 Dyskusja i pytania ekspertów
-
14:30 - 14:50 dr hab. Grzegorz M. Wilczyński (Instytut Biologii
Doświadczalnej PAN)
( )
Wykorzystanie oddziaływań powierzchni półprzewodników z białkami
do badań lokalizacji i funkcji receptorów błonowych w neuronach.
(Zadania 25)
14:50 - 15:00 Dyskusja i pytania ekspertów
-
15:00 - 16:00
DYSKUSJA
|
