| |
Panel Ekspertów
Projekt Kluczowy:
Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe
do Zastosowań w Biologii i Medycynie - Rozwój i Komercjalizacja
Nowej Generacji Urządzeń Diagnostyki Molekularnej Opartych
o Nowe Polskie Przyrządy Półprzewodnikowe
30 listopada - 1 grudnia 2010
Instytut Fizyki PAN
al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa
Audytorium im. L. Sosnowskiego
PROGRAM
30 listopada
1 grudnia
-
9:00 - 9:20 prof. Michał Leszczyński (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Rola półprzewodników azotkowych w konstrukcjach sensorów optycznych
i elektronicznych - zastosowania.
(Zadania 7 - 15)
9:20 - 9:30 Dyskusja i pytania ekspertów
-
9:30 - 9:50 doc. Izabella Grzegory (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Krystalizacja objętościowa GaN metodą High Nitrogen Pressure Solution
(HNPS) na zarodziach GaN o dużych rozmiarach z metody HVPE i HNPS.
(Zadania 7)
Krystalizacja objętościowa GaN metodą HVPE w celu uzyskania zarodzi
GaN o dużych rozmiarach i o różnych orientacjach krystalograficznych.
(Zadania 8)
9:50 - 10:00 Dyskusja i pytania ekspertów
-
10:00 - 10:20 prof. Tadeusz Suski (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Mechanizmy wzrostu i domieszkowania warstw AlGaInN w metodzie
MOVPE i ich wpływ na własności przyrządów optoelektronicznych.
(Zadania 10)
Zbadanie mechanizmów generacji światła w azotkowych strukturach
kwantowych.
(Zadania 11)
10:20 - 10:30 Dyskusja i pytania ekspertów
-
10:30 - 11:00
PRZERWA NA KAWĘ
-
11:00 - 11:20 prof. Piotr Perlin (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Nanostruktury azotkowe dla potrzeb sensorów optycznych
(Zadania 13)
Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych (380 - 520 nm)
w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych
i medycznych.
(Zadania 14)
11:20 - 11:30 Dyskusja i pytania ekspertów
-
11:30 - 11:50 prof. Czesław Skierbiszewski(Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Azotkowe struktury wytwarzane metodą Plasma Assisted Molecular Beam
Epitaxy. Diody laserowe na zakres 450 nm oraz struktury GaN/AlGaN
z dwuwymiarowym gazem elektronów do wykorzystania w sensorach
biologicznych i chemicznych.
(Zadania 15)
11:50 - 12:00 Dyskusja i pytania ekspertów
-
12:00 - 12:20 prof. Stanisław Krukowski(Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Zastosowanie modelowania wielo-skalowego do optymalizacji
echnologii laserów emitujących w zakresie 380-500 nm,
partych na bazie azotków metali grupy III.
(Zadania 9)
12:20 - 12:30 Dyskusja i pytania ekspertów
-
12:30 - 13:30
OBIAD
-
13:30 - 13:50 mgr Jakub Sołtys(ICM, Uniwersytet Warszawski)
Studium zbieżności dla powierzchni GaN i ZnO modelowanie
oddziaływań molekuł biologicznych z powierzchniami GAN i ZnO
(Zadania 27)
13:50 - 14:00 Dyskusja i pytania ekspertów
-
14:00 - 14:20 mgr Iwona Pasternak(Instytut Technologii Elektronowej)
Opracowanie metalizacji struktur półprzewodnikowych na bazie GaN
i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych.
(Zadania 23)
Opracowanie technologii warstw dielektrycznych dla heterozłączowych
tranzystorów typu ISFET i MISFET na bazie GaN i ZnO.
(Zadania 24)
14:20 - 14:30 Dyskusja i pytania ekspertów
-
14:30 - 15:30
DYSKUSJA
|
|
