| |
III Konferencja
Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe
do Zastosowań w Biologii i Medycynie
20 - 21 kwietnia 2011
Instytut Fizyki PAN
al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa
Audytorium im. L. Sosnowskiego
PROGRAM
20 kwietnia
-
9:00 - 9:30
REJESTRACJA UCZESTNIKÓW / KAWA POWITALNA
-
9:30 - 9:45
prof. Leszek Sirko (Instytut Fizyki PAN)
Otwarcie konferencji
-
9:45 - 10:00
mgr Tomasz Krajewski (Instytut Fizyki PAN)
Opracowanie technologii cienkich warstw ZnO i optymalizacja parametrów
elektrycznych tych warstw do złącz Schottky'go. Wykonanie złącz Schottky'go
ZnO/metal i optymalizacja ich parametrów.
-
10:00 - 10:15
mgr Łukasz Wachnicki (Instytut Fizyki PAN)
Opracowanie tlenkowych nanostruktur.
-
10:15 - 10:45
dr Piotr Wojnar (Instytut Fizyki PAN)
Aktywne optycznie nanodruty zwiazków II-VI.
-
10:45 - 11:00
prof. Marek Godlewski (Instytut Fizyki PAN)
Opracowanie metod domieszkowania struktur i warstw tlenkowych.
-
11:00 - 11:15
mgr Sylwia Gierałtowska (Instytut Fizyki PAN)
Opracowanie technologii tlenków podbramkowych.
-
11:15 - 11:45
prof. Zbyszek Żytkiewicz (Instytut Fizyki PAN)
Wytworzenie struktur GaN, AlGaN i GaN/AlGaN metodą PAMBE do zastosowań
sensorowych.
-
11:45 - 12:15
PRZERWA NA KAWĘ
-
12:15 - 12:45
prof. Adrian Kozanecki (Instytut Fizyki PAN)
Opracowanie nanostruktur tlenkowych ZnO i ZnO/ZnMgO metodą MBE
do zastosowań sensorowych.
-
12:45 - 13:15
prof. Izabella Grzegory (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Krystalograficznie płaskie 2 calowe kryształy GaN z metody HVPE.
Wysokociśnieniowe kryształy GaN do zastosowań laserowych
i tranzystorowych - konfiguracja Multi - Feed - Seed.
-
13:15 - 13:30
prof. Stanisław Krukowski (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Modelowanie procesów transportu, procesów powierzchniowych raz własności
podstawowych struktur kwantowych, wpływających na własności kryształów
azotków grupy III oraz warstw azotowych.
-
13:30 - 13:45
mgr Robert Czernecki (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Epitaksja MOVPE: własności strukturalne i optyczne warstw/struktur InGaN
na podłożach GaN o różnych orientacjach krystalograficznych.
-
13:45 - 15:00
OBIAD
-
15:00 - 15:15
prof. Czesław Skierbiszewski (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Epitaksja MBE: własności strukturalne i optyczne warstw/struktur InGaN
na podłożach GaN o różnych orientacjach krystalograficznych.
-
15:15 - 15:30
dr Marcin Sarzyński (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Ksztażtowane przestrzennie podłoża GaN i warstwy AlGaN
do wykorzystania w technologii diod laserowych.
-
15:30 - 15:45
prof. Piotr Perlin (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Linijki azotkowych diod laserowych.
-
15:45 - 16:15
PRZERWA NA KAWĘ
-
16:15 - 16:30
dr Paweł Prystawko (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Epitaksjalne struktury azotkowe z dwuwymiarowym gazem elektronowym.
-
16:30 - 16:55
prof. Regina Paszkiewicz (Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki,
Politechnika Wrocławska)
Wzrost i charakteryzacja struktur epitaksjalnych GaN/AlGaN z 2DEG metodą
MOVPE oraz opracowanie technologii konstrukcji testowych struktur
przyrządowych tranzystorów HFET z chemiczną bramką.
-
16:55 - 17:20
dr hab. Robert Kudrawiec (Instytut Fizyki, Politechnika Wrocławska)
Charakteryzacja struktur na bazie GaN i ZnO metodami optycznej spektroskopii
elektromodulacyjnej oraz spektroskopii rozdzielonej w czasie.
-
17:30
KOLACJA KONFERENCYJNA
21 kwietnia
|
|
