| |
II Konferencja
Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe
do Zastosowań w Biologii i Medycynie
13 - 14 kwietnia 2010
Instytut Fizyki PAN
al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa
Audytorium im. L. Sosnowskiego
PROGRAM
13 kwietnia
-
12:15 prof. Leszek Sirko (Instytut Fizyki PAN)
Otwarcie konferencji
-
12:30 doc. Elżbieta Guziewicz i mgr Tomasz Krajewski (Instytut Fizyki PAN)
Opracowanie technologii cienkich warstw ZnO i optymalizacja parametrów
elektrycznych tych warstw do złącz Schottky'go.
-
13:00 mgr Grzegorz Łuka i prof. Tomasz Wojtowicz (Instytut Fizyki PAN)
Opracowanie tlenkowych nanostruktur.
-
13:30 prof. Danek Elbaum i prof. Zbigniew Żytkiewicz (Instytut Fizyki PAN)
Funkcjonalizacja powierzchni warstw ZnO i struktur tlenkowych i azotkowych.
Opracowanie metod domieszkowania struktur i warstw tlenkowych.
Biosensoryczne właściwości ZnO.
-
14:00 - 15:00
OBIAD
-
15:00 doc. Izabella Grzegory (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Krystalizacja objętościowa GaN metodą High Nitrogen Pressure Solution
(HNPS) na zarodziach GaN o dużych rozmiarach z metody HVPE i HNPS.
Krystalizacja objętościowa GaN metodą HVPE w celu uzyskania zarodzi
GaN o dużych rozmiarach i o różnych orientacjach krystalograficznych.
-
15:30 doc. Jan Weyher i mgr I. Dzięcielewski (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Zastosowanie metod trawienia GaN do przygotowania funkcjonalnych platform
SERS.
-
15:50 prof. Stanisław Krukowski (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Zastosowanie modelowania wieloskalowego do optymalizacji technologii
laserów emitujących w zakresie 380-500 nm, opartych na bazie azotków
metali grupy III.
-
16:10 prof. Tadeusz Suski (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Zbadanie mechanizmów generacji światła w azotkowych strukturach
kwantowych.
Zbadanie mechanizmów wzrostu azotkowych epitaksjalnych struktur
kwantowych dla potrzeb nowej generacji emiterów światła.
-
16:30 doc. Piotr Perlin (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Nanostruktury azotkowe dla potrzeb sensorów optycznych.
Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych (380 - 520 nm) w celu
ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych.
-
17:00 - 17:30
PRZERWA NA KAWĘ
-
17:30 prof. Czesław Skierbiszewski (Instytut Wysokich Ciśnień PAN)
Wzrost i własności struktur GaInN o wysokiej zawartości In
oraz GaN/AlGaN, otrzymywanych metodą PA MBE.
-
17:50 prof. Regina Paszkiewicz (Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki,
Politechnika Wrocławska)
Wzrost i charakteryzacja struktur epitaksjalnych GaN/AlGaN z 2DEG metodą
MOVPE oraz opracowanie technologii i konstrukcji testowych struktur
przyrządowych tranzystorów HFET z chemiczną bramką.
-
18:20 prof. Jan Misiewicz i dr Robert Kudrawiec (Instytut Fizyki, Politechnika
Wrocławska)
Charakteryzacja struktur na bazie Gan i ZnO metodami optycznej
spektroskopii elektromodulacyjnej oraz spektroskopii rozdzielonej w czasie.
-
18:35 mgr Jakub Sołtys (ICM, Uniwersytet Warszawski)
Modelowanie złącz GaN/AlN jako układów sensorycznych.
-
19:10
KOLACJA KONFERENCYJNA
14 kwietnia
|
|
