|
ODDZIAŁ FIZYKI PÓŁPRZEWODNIKÓW - ON1
|
Kierownik oddziału: dr hab. Andrzej Łusakowski, prof. IF PAN lusak@ifpan.edu.pl Zastępca kierownika oddziału: dr hab. Izabela Kuryliszyn-Kudelska kuryl@ifpan.edu.pl Sekretarka: mgr Katarzyna Duszyńska kduszyn@ifpan.edu.pl Tel.: (+48) 22 843 56 26, (+48) 22 116 26 01 |
|
Podstawowe kierunki badań: - Doświadczalne i teoretyczne badania magnetycznych, termicznych, optycznych i galwanomagnetycznych własności kryształów litych i cienkich warstw półprzewodników półmagnetycznych grup II-VI, II-V i IV-VI..
- Doświadczalne badania zjawisk magnetycznych, optycznych oraz transportu elektronowego w wielowarstwowych strukturach kwantowych opartych o chalkogenidki Eu (lub Mn) i półprzewodniki IV-VI (lub II-VI).
- Hodowla kryształów:
- Wzrost kryształów półprzewodników półmagnetycznych grup II-VI i IV-VI z Mn, Eu i Gd (standardową oraz ciśnieniową metodą Bridgmana) np., CdMnTe, ZnMnTe (również silnie domieszkowane na typ p fosforem).
- Wzrost monokryształów grupy IV-VI (PbS, PbSe, PbTe) i II-VI (ZnTe, CdMnTe, CdZnTe)o jakości umożliwiającej wykorzystanie ich jako podłoży w metodzie MBE metodą transportu fizycznego.
- Wzrost kryształów ZnO I ZnO:Mn metodą transportu chemicznego.
- Wzrost warstw półprzewodników półmagnetycznych IV-VI zawierających jony Mn, Eu i Gd metodą MBE np. PbMnTe, SnGdTe, SnMnTe i heterostruktur (Eu,Gd)Te-PbTe.
|
Układy pomiarowe i urządzenia technologiczne - Magnetometr firmy LakeShore (zakres temperatur 1.3-300 K, pole magnetyczne do 9 T).
- Układ do pomiarów zjawisk transportu elektronowego (1.5-300 K, pole magnetyczne do 13T).
- Układ do pomiarów ciepła właściwego ( 0.4 -50 K, pole magnetyczne do 6T).
- Układ do pomiarów fotoluminescencji w obszarze widzialnym I bliskiej podczerwieni z laserem YAG.
- Magnetometr Kerr'a (1.5-300 K, pole magnetyczne do 0.2 T).
- Układ od analizy chemicznej kryształów metodą fluorescencji rentgenowskiej.
- Urządzenia technologiczne do hodowania kryształów litych II-VI I IV-VI. Metodą Bridgmana i transportu fizycznego i chemicznego.
- Urządzenia technologiczne do oczyszczania Mn, Mg, Te, Cd i innych metali i niemetali dla potrzeb technologii półprzewodników.
- Maszyna MBE dla wzrostu warstw półprzewodników IV-VI z Mn, Eu i Gd.
|
[ IF PAN ] [ Oddziały Naukowe ]
|