INSTYTUT  FIZYKI  PAN

ODDZIAŁ FIZYKI PÓŁPRZEWODNIKÓW - ON1

Kierownik oddziału: prof. dr hab. Tomasz Story story@ifpan.edu.pl
Sekretarka:  mgr Katarzyna Duszyńska kduszyn@ifpan.edu.pl
Tel.: (+48) 22 843 56 26, (+48) 22 116 26 01
ON1.1Zespół fizyki półprzewodników AIIBVI
ON1.2Zespół fizyki i technologii warstw epitaksjalnych
ON1.3Zespół fizyki półprzewodników półmagnetycznych
ON1.4Zespół fizyki defektów strukturalnych w półprzewodnikach

Podstawowe kierunki badań:
  • Doświadczalne i teoretyczne badania magnetycznych, termicznych, optycznych i galwanomagnetycznych własności kryształów litych i cienkich warstw półprzewodników półmagnetycznych grup II-VI, II-V i IV-VI..
  • Doświadczalne badania zjawisk magnetycznych, optycznych oraz transportu elektronowego w wielowarstwowych strukturach kwantowych opartych o chalkogenidki Eu (lub Mn) i półprzewodniki IV-VI (lub II-VI).
  • Hodowla kryształów:
    • Wzrost kryształów półprzewodników półmagnetycznych grup II-VI i IV-VI z Mn, Eu i Gd (standardową oraz ciśnieniową metodą Bridgmana) np., CdMnTe, ZnMnTe (również silnie domieszkowane na typ p fosforem).
    • Wzrost monokryształów grupy IV-VI (PbS, PbSe, PbTe) i II-VI (ZnTe, CdMnTe, CdZnTe)o jakości umożliwiającej wykorzystanie ich jako podłoży w metodzie MBE metodą transportu fizycznego.
    • Wzrost kryształów ZnO I ZnO:Mn metodą transportu chemicznego.
    • Wzrost warstw półprzewodników półmagnetycznych IV-VI zawierających jony Mn, Eu i Gd metodą MBE np. PbMnTe, SnGdTe, SnMnTe i heterostruktur (Eu,Gd)Te-PbTe.
Układy pomiarowe i urządzenia technologiczne
  • Magnetometr firmy LakeShore (zakres temperatur 1.3-300 K, pole magnetyczne do 9 T).
  • Układ do pomiarów zjawisk transportu elektronowego (1.5-300 K, pole magnetyczne do 13T).
  • Układ do pomiarów ciepła właściwego ( 0.4 -50 K, pole magnetyczne do 6T).
  • Układ do pomiarów fotoluminescencji w obszarze widzialnym I bliskiej podczerwieni z laserem YAG.
  • Magnetometr Kerr'a (1.5-300 K, pole magnetyczne do 0.2 T).
  • Układ od analizy chemicznej kryształów metodą fluorescencji rentgenowskiej.
  • Urządzenia technologiczne do hodowania kryształów litych II-VI I IV-VI. Metodą Bridgmana i transportu fizycznego i chemicznego.
  • Urządzenia technologiczne do oczyszczania Mn, Mg, Te, Cd i innych metali i niemetali dla potrzeb technologii półprzewodników.
  • Maszyna MBE dla wzrostu warstw półprzewodników IV-VI z Mn, Eu i Gd.

IF PAN ]   [ Oddziały Naukowe ]