- Fizyka wzrostu struktur półprzewodników azotków metali grupy III techniką wspomaganej plazmowo epitaksji z wiązek molekularnych (PAMBE)
- Wzrost PAMBE struktur (AlInGa)N na podłożach Si
- Technologia wytwarzania struktur tranzystorów z dwuwymiarowym gazem elektronowym na bazie AlGaN/GaN
- Fizyka i technologia wzrostu nanodrutów półprzewodników azotowych dla zastosowań optoelektronicznych i w sensorach chemicznych
Kierownik Zespołu
prof. dr hab. Zbigniew R. Żytkiewicz
zytkie{a}ifpan.edu.pl (zytkie null@null ifpan NULL.edu NULL.pl)Sekretariat
mgr Anna Drzazga
adrzazga{a}ifpan.edu.pl (adrzazga null@null ifpan NULL.edu NULL.pl)
+48-22 843 70 01
+48-22 843 66 01
ext. 2911, 3380
fax: +48-22 847 52 23