Zg³oszenia patentowe pracowników Instytutu Fizyki PAN
 
 





ZG£OSZENIA  PATENTOWE  

2009   2010   2011   2012 




2012   
  • Zg³osznie patentowe: Sposób zwiêkszenia oporno¶ci pó³izoluj±cych p³ytek z (Cd,Mn)Te oraz urz±dzenia do wygrzewania p³ytek
    Andrzej Mycielski
         Nr zg³oszenia: P.402154
         Data zg³oszenia: 20.12.2012

  • Zg³osznie patentowe: Sposób zwiêkszania intensywno¶ci luminescencji zawiesiny kropek kwantowych
    Sergiy Yatsunenko, Marek Godlewski, Joanna Grzyb
         Nr zg³oszenia: P.401933
         Data zg³oszenia: 06.12.2012

  • Zg³osznie patentowe: Sposób wytwarzania nanoproszków o w³a¶ciwo¶ciach luminescencyjno - magnetycznych oraz nanoproszek wytworzony tym sposobem
    Izabela Kamiñska, Krzysztof Fronc, Bo¿ena Sikora, Danek Elbaum
         Nr zg³oszenia: P.401873
         Data zg³oszenia: 03.12.2012

  • Zg³osznie patentowe: Sposób wytwarzania nanowarstw tlenków metali
    Anna Baranowska-Korczyc, Krzysztof Fronc, Danek Elbaum
         Nr zg³oszenia: P.401419
         Data zg³oszenia: 30.10.2012

  • Zg³osznie patentowe: Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV
    Bart³omiej Witkowski, £ukasz Wachnicki, Marek Godlewski
         Nr zg³oszenia: P.400285
         Data zg³oszenia: 07.08.2012

  • Zg³osznie patentowe: Hydrotermalny sposób wytwarzania nanos³upków ZnO na pod³o¿u
    Bart³omiej Witkowski, £ukasz Wachnicki, Marek Godlewski
         Nr zg³oszenia: P.400284
         Data zg³oszenia: 07.08.2012

  • Zg³osznie patentowe: Zawiesina luminescencyjna i sposób wytwarzania zawiesiny kropek kwantowych ZrO2 o w³a¶ciwo¶ciach luminescencyjnych
    Sergiy Yatsunenko, Marek Godlewski, Joanna Grzyb
         Nr zg³oszenia: P.399955
         Data zg³oszenia: 13.07.2012

  • Zg³osznie patentowe: Struktura detektora UV oraz sposób wykonania struktury detektora UV
    Ewa Prze¼dziecka, Adrian Kozanecki
         Nr zg³oszenia: P.399789
         Data zg³oszenia: 03.07.2012

  • Zg³osznie patentowe: Sposób wytwarzania przewodz±cego kompozytu na bazie ZrO2
    Sergiy Yatsunenko, Marek Godlewski
         Nr zg³oszenia: P.399664
         Data zg³oszenia: 25.06.2012

  • Zg³osznie patentowe: Sposób wytwarzania przewodz±cego kompozytu emituj±cego promieniowanie w zakresie widzialnym
    Sergiy Yatsunenko, Marek Godlewski
         Nr zg³oszenia: P.399663
         Data zg³oszenia: 25.06.2012

  • Zg³osznie patentowe: Struktura lasera pó³przewodnikowego
    Henryk Teisseyre, Adrian Kozanecki
         Nr zg³oszenia: P.399455
         Data zg³oszenia: 06.06.2012

  • Zg³osznie patentowe: Struktura lasera pó³przewodnikowego
    Henryk Teisseyre, Adrian Kozanecki
         Nr zg³oszenia: P.399454
         Data zg³oszenia: 06.06.2012

  • Zg³osznie patentowe: Sposób wykonania organicznej cienkowarstwowej komórki pamiêci oraz organiczna cienkowarstwowa komórka pamiêci
    Grzegorz £uka, Marek Godlewski, El¿bieta Guziewicz
         Nr zg³oszenia: P.398110
         Data zg³oszenia: 14.02.2012

  • Zg³osznie patentowe: Hydrotermalny sposób wytwarzania nanos³upków ZnO na pod³o¿ach pó³przewodnikowych
    Bart³omiej Witkowski, £ukasz Wachnicki, Marek Godlewski
         Nr zg³oszenia: P.39802
         Data zg³oszenia: 06.02.2012



2011   
  • Zg³osznie patentowe: Sposób pasywacji nanostruktur ZnO
    Anna Baranowska-Korczyc, Krzysztof Fronc, Danek Elbaum
         Nr zg³oszenia: P.396364
         Data zg³oszenia: 16.09.2011

  • Zg³osznie patentowe: Sposób wytwarzania nanos³upków ZnO na pod³o¿ach pó³przewodnikowych
    Bart³omiej Witkowski, £ukasz Wachnicki, Marek Godlewski
         Nr zg³oszenia: P.396282
         Data zg³oszenia: 09.09.2011

  • Zg³osznie patentowe: Sposób wytwarzania nanos³upków ZnO na pod³o¿ach pó³przewodnikowych
    Marek Godlewski, Bart³omiej Witkowski, £ukasz Wachnicki
         Nr zg³oszenia: P.395661
         Data zg³oszenia: 15.07.2011

  • Zg³osznie patentowe: Przezroczysta struktura tranzystora polowego oraz sposób wykonania przezroczystej struktury tranzystora polowego
    Sylwia Giera³towska, £ukasz Wachnicki, El¿bieta Guziewicz, Marek Godlewski
         Nr zg³oszenia: P.395639
         Data zg³oszenia: 13.07.2011

  • Zg³osznie patentowe: Niskotemperaturowy sposób wytwarzania epitaksjalnych warstw tlenku cynku
    £ukasz Wachnicki, El¿bieta Guziewicz, Marek Godlewski
         Nr zg³oszenia: P.395443
         Data zg³oszenia: 27.06.2011

  • Zg³osznie patentowe: Sposób wytwarzania objêto¶ciowych kryszta³ów pó³przewodników oraz urz±dzenie do stosowania tego sposobu
    Zbigniew ¯ytkiewicz
         Nr zg³oszenia: P.395334
         Data zg³oszenia: 17.06.2011

  • Zg³osznie patentowe: Z³±cze prostuj±ce Ag/ZnO oraz sposób wykonania tego z³±cza
    Tomasz Krajewski, Grzegorz £uka, El¿bieta Guziewicz, Marek Godlewski, Krzysztof Kopalko
         Nr zg³oszenia: P.394422
         Data zg³oszenia: 01.04.2011

  • Zg³osznie patentowe: Homoz³±cze ZnO oraz sposób wykonania tego homoz³±cza
    Marek Godlewski, El¿bieta Guziewicz, Krzysztof Kopalko
         Nr zg³oszenia: P.394298
         Data zg³oszenia: 22.03.2011



2010   
  • Zg³osznie patentowe: Dioda luminescencyjna emituj±ca ¶wiat³o bia³e oraz sposób wytwarzania diody luminescencyjnej wytwarzaj±cej ¶wiat³o bia³e
    Henryk Teisseyre
         Nr zg³oszenia: P.393292
         Data zg³oszenia: 15.12.2010

  • Zg³osznie patentowe: Sposób wytwarzania niedomieszkowanego siarczku o³owiawego typu n
    Andrzej Szczerbakow
         Nr zg³oszenia: P.392848
         Data zg³oszenia: 03.11.2010

  • Zg³oszenie patentowe: Czujnik gazów i/lub substancji organicznych.
    A. Stafiniak, B. Boratyñski, I. Zborowska-Lindert, A. Szyszka, M. Rami±czek-Krasowska, R. Paszkiewicz,
    M. T³acza³a, A. Baranowska-Korczyc, K. Fronc, D. Elbaum
         Nr zg³oszenia: P.392218
         Data zg³oszenia: 24.08.2010
    We wspó³pracy z grup± z Politechniki Wroc³awskiej (Wydzia³ Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki) powsta³ czujnik gazów i substancji organicznych, skonstruowany na bazie nanow³ókien ZnO, otrzymywanych w Instytucie Fizyki PAN (A. Baranowska-Korczyc, K. Fronc, D. Elbaum). Ceramiczne, pó³przewodnikowe nanow³ókna uzyskiwane s± za pomoc± elektroprzêdzenia i nastêpuj±cego po nim wygrzewania.

  • Zg³osznie patentowe: Sposób wytwarzania jednorodnych p³ytek pó³przewodnikowych z CdTe
    Rafa³ Jakie³a
         Nr zg³oszenia: P.391864
         Data zg³oszenia: 16.07.2010

  • Zg³osznie patentowe: Sposób wytwarzania warstwowego nano-kompozytowego materia³u termoelektrycznego
    Micha³ Szot, Piotr Dziawa, Krzysztof Dybko, Badri Taliashvili
         Nr zg³oszenia: P.391233
         Data zg³oszenia: 14.05.2010

  • Zg³osznie patentowe: Sposób wytwarzania kontaktów omowych do pó³izoluj±cych p³ytek z (Cd,Mn)Te
    Andrzej Mycielski, Marta Witkowska-Baran
         Nr zg³oszenia: P.390989
         Data zg³oszenia: 15.04.2010

  • Zg³osznie patentowe: Urz±dzenie do topienia strefowego
    Andrzej Mycielski, Marta Witkowska-Baran
         Nr zg³oszenia: P.390989
         Data zg³oszenia: 15.04.2010

  • Zg³osznie patentowe: Urz±dzenie do topienia strefowego
    Andrzej Szczerbakow
         Nr zg³oszenia: P.390752
         Data zg³oszenia: 17.03.2010



2009   
  • Zg³osznie patentowe: Sposób wytwarzania monokryszta³ów zwi±zków pó³przewodnikowych
    Andrzej Mycielski
         Nr zg³oszenia: P.390002
         Data zg³oszenia: 22.12.2009

  • Zg³osznie patentowe: Sposób wywarzania materia³u termoelektrycznego
    Andrzej Szczerbakow
         Nr zg³oszenia: P.389802
         Data zg³oszenia: 07.12.2009

  • Zg³osznie patentowe: Sposób otrzymywania polikryszta³ów zwi±zków pó³przewodnikowych i urz±dzenie do otrzymywania tych polikryszta³ów
    Andrzej Mycielski
         Nr zg³oszenia: P.389480
         Data zg³oszenia: 05.11.2009

  • Zg³osznie patentowe: Detektor Termoluminescencyjny
    Andrzej Suchocki, Marek Berkowski, Yaroslav Zhydachevskyy
         Nr zg³oszenia: P.388778
         Data zg³oszenia: 11.08.2009