- Transfer energii i ładunku, procesy rekombinacji promienistej i niepromienistej w kryształach litych, cienkich warstwach oraz materiałach nanokrystalicznych,
- Oddziaływania spinowe w półprzewodnikach półmagnetycznych, strukturach wielowarstwowych, nanokryształach magnetycznych i niskowymiarowych strukturach półprzewodnikowych,
- Hodowla i charakteryzacja nowych materiałów:
- osadzanie warstw atomowych (ALD) szerokoprzerwowych półprzewodników II-VI dla zastosowań optoelektronicznych;
- wzrost ZnO metodą ALD dla zastosowań sensorowych, spintroniki oraz dla struktur binarnych polimer/polprzewodnik w ramach projektu kluczowego NANOBIOM, oraz projektów MIME i FunDMS;
- wzrost struktur (AlGaIn)N, ZnO i materiałów pochodnych metodą epitaksji wiązek molekularnych (MBE) pod struktury półprzewodnikowe i biosensory, w ramach Centrum Zaawansowanych Technologii dla Opto- i Mikroelektroniki i projektu NANOBIOM;
- wzrost warstw GaN/AlGaN techniką MBE na podłożach Si w ramach projektu POIG 1.3.1 – Innowacyjne materiały do zastosowań w energooszczędnych i proekologicznych urządzeniach elektrycznych,
- Badania struktury pasmowej i powierzchni metodami spektroskopii emisyjnej,
- Struktura energetyczna i procesy rekombinacji ładunku głębokich defektów w półprzewodnikach, izolatorach, nanostrukturach i na międzypowierzchniach,
- Badania materiałów fotowoltaicznych do fotorozszczepiania wody.
Kierownik Oddziału
prof. dr hab. Bogdan Kowalski (http://info NULL.ifpan NULL.edu NULL.pl/Dodatki/WordPress/on44pl/wp-content/blogs NULL.dir/7/files/mikroskopelektronowy/on44_bogdanmaly72dpi NULL.jpg)
kowab{a}ifpan.edu.pl (kowab null@null ifpan NULL.edu NULL.pl)Zastępcy Kierownika
prof. dr hab. Marek Godlewski
godlew{a}ifpan.edu.pl (godlew null@null ifpan NULL.edu NULL.pl)
prof. dr hab. Andrzej Suchocki (http://info NULL.ifpan NULL.edu NULL.pl/Dodatki/WordPress/andrzejsuchocki/)
suchy{a}ifpan.edu.pl (suchy null@null ifpan NULL.edu NULL.pl)Sekretariat
mgr Anna Drzazga
adrzazga{a}ifpan.edu.pl (adrzazga null@null ifpan NULL.edu NULL.pl)
+48-22 843 70 01
+48-22 843 66 01
ext. 2911, 3380
fax: +48-22 847 52 23